SIZF928DT-T1-GE3
工場モデル | SIZF928DT-T1-GE3 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET |
パッケージ | 8-PowerPair® (6x5) |
株式 | 141723 pcs |
データシート | SIZF928DT |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.603 | $0.543 | $0.436 | $0.358 | $0.297 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2V @ 250µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-PowerPair® (6x5) |
シリーズ | TrenchFET® Gen IV |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 2.45mOhm @ 10A, 10V, 750µOhm @ 15A, 10V |
電力 - 最大 | 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc) |
パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | - |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | - |
FET特長 | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 33A (Ta), 88A (Tc), 61A (Ta), 248A (Tc) |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
基本製品番号 | SIZF928 |
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