SIZ998DT-T1-GE3
| 工場モデル | SIZ998DT-T1-GE3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 詳細な説明 | MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR |
| パッケージ | 8-PowerPair® (6x5) |
| 株式 | 181176 pcs |
| データシート | SIZ998DTSIZ998DT-T1-GE3 10/Mar/2023 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.578 | $0.517 | $0.403 | $0.333 | $0.263 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.2V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PowerPair® (6x5) |
| シリーズ | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V |
| 電力 - 最大 | 20.2W, 32.9W |
| パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 930pF @ 15V, 2620pF @ 15V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A (Tc), 60A (Tc) |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| 基本製品番号 | SIZ998 |
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