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Vishay Siliconix

SIZ270DT-T1-GE3

工場モデル SIZ270DT-T1-GE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFE
パッケージ 8-PowerPair® (3.3x3.3)
株式 139863 pcs
データシート Dual N-Channel 100 V (D-S) MOSFETs
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.546 $0.489 $0.381 $0.315 $0.249
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。139863のVishay Siliconix SIZ270DT-T1-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.4V @ 250µA
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-PowerPair® (3.3x3.3)
シリーズ TrenchFET® Gen IV
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 37.7mOhm @ 7A, 10V, 39.4mOhm @ 7A, 10V
電力 - 最大 4.3W (Ta), 33W (Tc)
パッケージ/ケース 8-PowerWDFN
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 860pF @ 50V, 845pF @ 50V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 27nC @ 10V
FET特長 -
ソース電圧（VDSS）にドレイン 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 7.1A (Ta), 19.5A (Tc), 6.9A (Ta), 19.1A (Tc)
コンフィギュレーション 2 N-Channel (Dual)
基本製品番号 SIZ270

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データシート

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