SIZF5300DT-T1-GE3
| 工場モデル | SIZF5300DT-T1-GE3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 詳細な説明 | DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET |
| パッケージ | PowerPAIR® 3x3FS |
| 株式 | 111477 pcs |
| データシート | SIZF5300DT |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.818 | $0.734 | $0.59 | $0.484 | $0.401 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAIR® 3x3FS |
| シリーズ | TrenchFET® Gen V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.43mOhm @ 10A, 10V |
| 電力 - 最大 | 4.5W (Ta), 56.8W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 12-PowerPair™ |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1480pF @ 15V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 32nC @ 10V |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 35A (Ta), 125A (Tc) |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| 基本製品番号 | SIZF5300 |
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