SIZ998BDT-T1-GE3
| 工場モデル | SIZ998BDT-T1-GE3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 詳細な説明 | DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET |
| パッケージ | 8-PowerPair® (6x5) |
| 株式 | 204221 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.385 | $0.344 | $0.268 | $0.221 | $0.175 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。204221のVishay Siliconix SIZ998BDT-T1-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.2V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PowerPair® (6x5) |
| シリーズ | TrenchFET® Gen IV |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.39mOhm @ 15A, 10V, 2.4mOhm @ 19A, 10V |
| 電力 - 最大 | 3.8W (Ta), 20W (Tc), 4.8W (Ta), 32.9W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 790pF @ 15V, 2130pF @ 15V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 18nC @ 10V, 46.7nC @ 10V |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 36.2A (Ta), 94.6A (Tc) |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| 基本製品番号 | SIZ998 |
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