SIZ916DT-T1-GE3
| 工場モデル | SIZ916DT-T1-GE3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR |
| パッケージ | 8-PowerPair® (6x5) |
| 株式 | 5026 pcs |
| データシート | Mult Devices 15/Sep/2017Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014SiZ916DT |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5026のVishay Siliconix SIZ916DT-T1-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.4V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PowerPair® (6x5) |
| シリーズ | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6.4mOhm @ 19A, 10V |
| 電力 - 最大 | 22.7W, 100W |
| パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1208pF @ 15V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 26nC @ 10V |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 16A, 40A |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| 基本製品番号 | SIZ916 |
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