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Vishay Siliconix

SIZ902DT-T1-GE3

工場モデル SIZ902DT-T1-GE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
パッケージ 8-PowerPair® (6x5)
株式 131384 pcs
データシート SiZ902DT
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000
$0.611 $0.546 $0.426 $0.352 $0.278
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。131384のVishay Siliconix SIZ902DT-T1-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 2.2V @ 250µA
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-PowerPair® (6x5)
シリーズ TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 12mOhm @ 13.8A, 10V
電力 - 最大 29W, 66W
パッケージ/ケース 8-PowerWDFN
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 790pF @ 15V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 21nC @ 10V
FET特長 Logic Level Gate
ソース電圧(VDSS)にドレイン 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 16A
コンフィギュレーション 2 N-Channel (Half Bridge)
基本製品番号 SIZ902

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SIZ902DT-T1-GE3 データテーブルPDF

データシート