SIZ704DT-T1-GE3
工場モデル | SIZ704DT-T1-GE3 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 30V 12A PPAK 1212-8 |
パッケージ | 6-PowerPair™ |
株式 | 181667 pcs |
データシート | Epoxy Materials 07/Jan/2022SIZ704DT |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.409 | $0.365 | $0.284 | $0.235 | $0.185 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 250µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 6-PowerPair™ |
シリーズ | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 24mOhm @ 7.8A, 10V |
電力 - 最大 | 20W, 30W |
パッケージ/ケース | 6-PowerPair™ |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 435pF @ 15V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 12nC @ 10V |
FET特長 | Logic Level Gate |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 12A, 16A |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Half Bridge) |
基本製品番号 | SIZ704 |
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