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Vishay Siliconix

SIZ904DT-T1-GE3

工場モデル SIZ904DT-T1-GE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR
パッケージ 6-PowerPair™
株式 196313 pcs
データシート SIZ904DT
提案された価格 (米ドルでの測定)
3000
$0.191
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。196313のVishay Siliconix SIZ904DT-T1-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 2.5V @ 250µA
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 6-PowerPair™
シリーズ TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 24mOhm @ 7.8A, 10V
電力 - 最大 20W, 33W
パッケージ/ケース 6-PowerPair™
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 435pF @ 15V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 12nC @ 10V
FET特長 Logic Level Gate
ソース電圧(VDSS)にドレイン 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 12A, 16A
コンフィギュレーション 2 N-Channel (Half Bridge)
基本製品番号 SIZ904

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データシート