SIZF906BDT-T1-GE3
| 工場モデル | SIZF906BDT-T1-GE3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 詳細な説明 | DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET |
| パッケージ | 8-PowerPair® (6x5) |
| 株式 | 125165 pcs |
| データシート | SIZF906BDT |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.747 | $0.671 | $0.539 | $0.443 | $0.367 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。125165のVishay Siliconix SIZF906BDT-T1-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.2V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PowerPair® (6x5) |
| シリーズ | TrenchFET® Gen IV |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.1mOhm @ 15A, 10V, 680µOhm @ 20A, 10V |
| 電力 - 最大 | 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1630pF @ 15V, 5550pF @ 15V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 49nC @ 10V, 165nC @ 10V |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 36A (Ta), 105A (Tc), 63A (Ta), 257A (Tc) |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| 基本製品番号 | SIZF906 |
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