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Vishay Siliconix

SIZF920DT-T1-GE3

工場モデル SIZF920DT-T1-GE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR 6X5
パッケージ 8-PowerPair® (6x5)
株式 123661 pcs
データシート SIZF920DT Datasheet
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.678 $0.608 $0.488 $0.401 $0.332
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。123661のVishay Siliconix SIZF920DT-T1-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-PowerPair® (6x5)
シリーズ TrenchFET® Gen IV
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 3.07mOhm @ 10A, 10V, 1.05mOhm @ 10A, 10V
電力 - 最大 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)
パッケージ/ケース 8-PowerWDFN
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 29nC @ 10V, 125nC @ 10V
FET特長 -
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc)
コンフィギュレーション 2 N-Channel (Dual), Schottky
基本製品番号 SIZF920

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データシート

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