DMN2012UCA6-7
工場モデル | DMN2012UCA6-7 |
---|---|
メーカー | Diodes Incorporated |
詳細な説明 | MOSFET BVDSS: 8V-24V X3-DSN2718- |
パッケージ | X3-DSN2718-6 |
株式 | 185905 pcs |
データシート | Diodes Environmental Compliance CertDMN2012UCA6 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
3000 | 6000 | 15000 |
---|---|---|
$0.205 | $0.195 | $0.187 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.3V @ 1mA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | X3-DSN2718-6 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 9mOhm @ 5A, 4.5V |
電力 - 最大 | 820mW |
パッケージ/ケース | 6-SMD, No Lead |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2417pF @ 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 26nC @ 4V |
FET特長 | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 24V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 13A (Ta) |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
基本製品番号 | DMN2012 |
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