DMN2005DLP4K-7
| 工場モデル | DMN2005DLP4K-7 |
|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated |
| 詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN |
| パッケージ | X2-DFN1310-6 (Type B) |
| 株式 | 608187 pcs |
| データシート | Bond Wire 11/Nov/2011Diodes Environmental Compliance CertMult Dev Wafer Fab Add 8/Aug/2012DMN2005DLP4K |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.182 | $0.147 | $0.1 | $0.075 | $0.056 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 900mV @ 100µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | X2-DFN1310-6 (Type B) |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.5Ohm @ 10mA, 4V |
| 電力 - 最大 | 400mW |
| パッケージ/ケース | 6-XFDFN Exposed Pad |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | - |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 300mA |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
| 基本製品番号 | DMN2005 |
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