DMN2005UFG-13
工場モデル | DMN2005UFG-13 |
---|---|
メーカー | Diodes Incorporated |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333 |
パッケージ | PowerDI3333-8 |
株式 | 467103 pcs |
データシート | Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021Diodes Environmental Compliance CertDMN2005UFG |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.234 | $0.207 | $0.159 | $0.125 | $0.1 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.2V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±12V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerDI3333-8 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V |
電力消費(最大) | 1.05W (Ta) |
パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 6495 pF @ 10 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 164 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 2.5V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 18.1A (Tc) |
基本製品番号 | DMN2005 |
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