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Diodes Incorporated

DMN2005UFG-13

工場モデル DMN2005UFG-13
メーカー Diodes Incorporated
詳細な説明 MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
パッケージ PowerDI3333-8
株式 467103 pcs
データシート Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021Diodes Environmental Compliance CertDMN2005UFG
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000
$0.234 $0.207 $0.159 $0.125 $0.1
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのDiodes Incorporatedシリーズの電子コンポーネントを専門としています。467103のDiodes Incorporated DMN2005UFG-13の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 1.2V @ 250µA
Vgs(最大) ±12V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PowerDI3333-8
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
電力消費(最大) 1.05W (Ta)
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 6495 pF @ 10 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 164 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 2.5V, 4.5V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 20 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 18.1A (Tc)
基本製品番号 DMN2005

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DMN2005UFG-13 データテーブルPDF

データシート