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DMN2011UTS-13 Image
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DMN2011UTS-13

工場モデル DMN2011UTS-13
メーカー Diodes Incorporated
詳細な説明 MOSFET N-CH 20V 21A 8TSSOP
パッケージ 8-TSSOP
株式 540455 pcs
データシート DMN2011UTSMult Dev A/T Site 31/Mar/2021Diodes Environmental Compliance Cert
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000
$0.197 $0.168 $0.126 $0.099 $0.076
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのDiodes Incorporatedシリーズの電子コンポーネントを専門としています。540455のDiodes Incorporated DMN2011UTS-13の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 1V @ 250µA
Vgs(最大) ±12V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-TSSOP
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 11mOhm @ 7A, 4.5V
電力消費(最大) 1.3W (Ta)
パッケージ/ケース 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 2248 pF @ 10 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 56 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 1.5V, 4.5V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 20 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 21A (Tc)
基本製品番号 DMN2011

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DMN2011UTS-13 データテーブルPDF

データシート