DMN2019UTS-13
| 工場モデル | DMN2019UTS-13 |
|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated |
| 詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8 |
| パッケージ | 8-TSSOP |
| 株式 | 660508 pcs |
| データシート | DMN2019UTSDiodes Environmental Compliance CertMult Dev Wafer Chgs 4/Oct/2019 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.149 | $0.127 | $0.094 | $0.074 | $0.057 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 950mV @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-TSSOP |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 18.5mOhm @ 7A, 10V |
| 電力 - 最大 | 780mW |
| パッケージ/ケース | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 143pF @ 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 8.8nC @ 4.5V |
| FET特長 | Logic Level Gate |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.4A |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| 基本製品番号 | DMN2019 |
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