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Diodes Incorporated

DMN2008LFU-7

工場モデル DMN2008LFU-7
メーカー Diodes Incorporated
詳細な説明 MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030
パッケージ U-DFN2030-6 (Type B)
株式 324195 pcs
データシート Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021Diodes Environmental Compliance CertDMN2008LFU
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000
$0.247 $0.218 $0.167 $0.132 $0.106
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのDiodes Incorporatedシリーズの電子コンポーネントを専門としています。324195のDiodes Incorporated DMN2008LFU-7の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 1.5V @ 250A
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ U-DFN2030-6 (Type B)
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V
電力 - 最大 1W
パッケージ/ケース 6-UFDFN Exposed Pad
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1418pF @ 10V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 42.3nC @ 10V
FET特長 -
ソース電圧(VDSS)にドレイン 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 14.5A
コンフィギュレーション 2 N-Channel (Dual) Common Drain
基本製品番号 DMN2008

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データシート