DMN2008LFU-7
工場モデル | DMN2008LFU-7 |
---|---|
メーカー | Diodes Incorporated |
詳細な説明 | MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030 |
パッケージ | U-DFN2030-6 (Type B) |
株式 | 324195 pcs |
データシート | Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021Diodes Environmental Compliance CertDMN2008LFU |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.247 | $0.218 | $0.167 | $0.132 | $0.106 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.5V @ 250A |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | U-DFN2030-6 (Type B) |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V |
電力 - 最大 | 1W |
パッケージ/ケース | 6-UFDFN Exposed Pad |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1418pF @ 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 42.3nC @ 10V |
FET特長 | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 14.5A |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
基本製品番号 | DMN2008 |
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