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Diodes Incorporated

DMN2016LFG-7

工場モデル DMN2016LFG-7
メーカー Diodes Incorporated
詳細な説明 MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN
パッケージ U-DFN3030-8
株式 358010 pcs
データシート DMN2016LFGMult Dev Assembly Chgs 15/May/2019Diodes Environmental Compliance Cert
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000
$0.239 $0.205 $0.153 $0.12 $0.093
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのDiodes Incorporatedシリーズの電子コンポーネントを専門としています。358010のDiodes Incorporated DMN2016LFG-7の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 1.1V @ 250µA
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ U-DFN3030-8
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 18mOhm @ 6A, 4.5V
電力 - 最大 770mW
パッケージ/ケース 8-PowerUDFN
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1472pF @ 10V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 16nC @ 4.5V
FET特長 Logic Level Gate
ソース電圧(VDSS)にドレイン 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 5.2A
コンフィギュレーション 2 N-Channel (Dual) Common Drain
基本製品番号 DMN2016

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DMN2016LFG-7 データテーブルPDF

データシート