DMN2009UCA4-7
| 工場モデル | DMN2009UCA4-7 |
|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated |
| 詳細な説明 | MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN1717- |
| パッケージ | X4-DSN1717-4 |
| 株式 | 393286 pcs |
| データシート | DMN2009UCA4 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 3000 |
|---|
| $0.106 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.4V @ 640µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | X4-DSN1717-4 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 11.9mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| 電力 - 最大 | 900mW |
| パッケージ/ケース | 4-XFBGA, DSBGA |
| パッケージ | Bulk |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1780pF @ 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 17.5nC @ 4V |
| FET特長 | Standard |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10.3A (Ta) |
| コンフィギュレーション | - |
| 基本製品番号 | DMN2009 |
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