DMN2009UFDF-13
| 工場モデル | DMN2009UFDF-13 |
|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated |
| 詳細な説明 | MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 |
| パッケージ | U-DFN2020-6 (Type F) |
| 株式 | 903648 pcs |
| データシート | DMN2009UFDF |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 10000 |
|---|
| $0.047 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±12V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | U-DFN2020-6 (Type F) |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 9mOhm @ 8.5A, 4.5V |
| 電力消費（最大） | 1.3W (Ta) |
| パッケージ/ケース | 6-UDFN Exposed Pad |
| パッケージ | Bulk |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1083 pF @ 10 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 27.9 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 12.8A (Ta) |
| 基本製品番号 | DMN2009 |
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