DMN2010UDZ-7
工場モデル | DMN2010UDZ-7 |
---|---|
メーカー | Diodes Incorporated |
詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6 |
パッケージ | U-DFN2535-6 |
株式 | 102308 pcs |
データシート | Mult Dev EOL 15/Mar/2021Diodes Environmental Compliance CertDMN2010UDZ |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 |
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$0.367 | $0.323 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.5V @ 250µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | U-DFN2535-6 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 7mOhm @ 5.5A, 4.5V |
電力 - 最大 | 700mW |
パッケージ/ケース | 6-UDFN Exposed Pad |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2665pF @ 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 33.2nC @ 4.5V |
FET特長 | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 24V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 11A |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
基本製品番号 | DMN2010 |
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