DMN2013UFX-7
| 工場モデル | DMN2013UFX-7 |
|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated |
| 詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN |
| パッケージ | W-DFN5020-6 |
| 株式 | 530247 pcs |
| データシート | DMN2013UFXDiodes Environmental Compliance CertMult Dev Alt Wafer Source 26/Apr/2018 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 3000 | 6000 | 15000 | 30000 |
|---|---|---|---|
| $0.104 | $0.097 | $0.093 | $0.09 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.1V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | W-DFN5020-6 |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 11.5mOhm @ 8.5A, 4.5V |
| 電力 - 最大 | 2.14W |
| パッケージ/ケース | 6-VFDFN Exposed Pad |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2607pF @ 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 57.4nC @ 8V |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10A (Ta) |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| 基本製品番号 | DMN2013 |
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