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製品の詳細仕様を参照してください。

SI6467BDQ-T1-E3

工場モデル SI6467BDQ-T1-E3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET P-CH 12V 6.8A 8-TSSOP
パッケージ 8-TSSOP
株式 5960 pcs
データシート Material ComplianceSIL-1072014 Rev0 17/Dec/2014SI6467BDQ
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5960のVishay Siliconix SI6467BDQ-T1-E3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 850mV @ 450µA
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-TSSOP
シリーズ TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 12.5mOhm @ 8A, 4.5V
パッケージ/ケース 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
パッケージ Cut Tape (CT)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 70 nC @ 4.5 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
ソース電圧(VDSS)にドレイン 12 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 6.8A (Ta)
基本製品番号 SI6467

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SI6467BDQ-T1-E3 データテーブルPDF

データシート