SI6913DQ-T1-E3
工場モデル | SI6913DQ-T1-E3 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP |
パッケージ | 8-TSSOP |
株式 | 112822 pcs |
データシート | Material ComplianceEpoxy Materials 07/Jan/2022SI6913DQ |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.762 | $0.684 | $0.55 | $0.452 | $0.374 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 900mV @ 400µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-TSSOP |
シリーズ | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 21mOhm @ 5.8A, 4.5V |
電力 - 最大 | 830mW |
パッケージ/ケース | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | - |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 28nC @ 4.5V |
FET特長 | Logic Level Gate |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 12V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 4.9A |
コンフィギュレーション | 2 P-Channel (Dual) |
基本製品番号 | SI6913 |
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