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SI6459BDQ-T1-E3 Image
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製品の詳細仕様を参照してください。

SI6459BDQ-T1-E3

工場モデル SI6459BDQ-T1-E3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET P-CH 60V 2.2A 8TSSOP
パッケージ 8-TSSOP
株式 5792 pcs
データシート Material Compliance
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5792のVishay Siliconix SI6459BDQ-T1-E3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 3V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-TSSOP
シリーズ TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 115mOhm @ 2.7A, 10V
電力消費（最大） 1W (Ta)
パッケージ/ケース 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 22 nC @ 10 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 60 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 2.2A (Ta)
基本製品番号 SI6459

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