SI6415DQ-T1-GE3
工場モデル | SI6415DQ-T1-GE3 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | MOSFET P-CH 30V 6.5A 8TSSOP |
パッケージ | 8-TSSOP |
株式 | 116761 pcs |
データシート | Material ComplianceEpoxy Materials 07/Jan/2022 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.76 | $0.682 | $0.548 | $0.45 | $0.373 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1V @ 250µA (Min) |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-TSSOP |
シリーズ | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 19mOhm @ 6.5A, 10V |
電力消費(最大) | 1.5W (Ta) |
パッケージ/ケース | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 70 nC @ 10 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 6.4A (Ta) |
基本製品番号 | SI6415 |
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