SI6925ADQ-T1-E3
| 工場モデル | SI6925ADQ-T1-E3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 8TSSOP |
| パッケージ | 8-TSSOP |
| 株式 | 5820 pcs |
| データシート | PCN- SIL-0582013 05/Dec/2013Material ComplianceSi6925ADQ |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.8V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-TSSOP |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 45mOhm @ 3.9A, 4.5V |
| 電力 - 最大 | 800mW |
| パッケージ/ケース | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6nC @ 4.5V |
| FET特長 | Logic Level Gate |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.3A |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
| 基本製品番号 | SI6925 |
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