SI6433BDQ-T1-GE3
工場モデル | SI6433BDQ-T1-GE3 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | MOSFET P-CH 12V 4A 8TSSOP |
パッケージ | 8-TSSOP |
株式 | 4353 pcs |
データシート | SIL-0632014 16/Apr/2014Material ComplianceSi6433BDQ |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±8V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-TSSOP |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 40mOhm @ 4.8A, 4.5V |
電力消費(最大) | 1.05W (Ta) |
パッケージ/ケース | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 15 nC @ 4.5 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 2.5V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 12 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 4A (Ta) |
基本製品番号 | SI6433 |
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