SI6467DQ
工場モデル | SI6467DQ |
---|---|
メーカー | Fairchild Semiconductor |
詳細な説明 | P-CHANNEL MOSFET |
パッケージ | 8-TSSOP |
株式 | 3916 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±8V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-TSSOP |
シリーズ | PowerTrench® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 12mOhm @ 9.2A, 4.5V |
電力消費(最大) | 600mW (Ta) |
パッケージ/ケース | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
パッケージ | Bulk |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 5878 pF @ 10 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 96 nC @ 4.5 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 1.8V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 9.2A (Ta) |
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