Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-アレイ > SI6562CDQ-T1-BE3
Vishay Siliconix

SI6562CDQ-T1-BE3

工場モデル SI6562CDQ-T1-BE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 N- AND P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSF
パッケージ 8-TSSOP
株式 274523 pcs
データシート SI6562CDQ
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000
$0.357 $0.32 $0.249 $0.206 $0.163
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。274523のVishay Siliconix SI6562CDQ-T1-BE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 1.5V @ 250µA
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-TSSOP
シリーズ TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 22mOhm @ 5.7A, 4.5V, 30mOhm @ 5.1A, 4.5V
電力 - 最大 1.1W (Ta), 1.6W (Tc), 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
パッケージ/ケース 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 850pF @ 10V, 1200pF @ 10V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 23nC @ 10V, 51nC @ 10V
FET特長 -
ソース電圧(VDSS)にドレイン 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 5.7A (Ta), 6.7A (Tc), 5.1A (Ta), 6.1A (Tc)
コンフィギュレーション N and P-Channel
基本製品番号 SI6562

おすすめ商品

SI6562CDQ-T1-BE3 データテーブルPDF

データシート