SI6562CDQ-T1-BE3
工場モデル | SI6562CDQ-T1-BE3 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | N- AND P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSF |
パッケージ | 8-TSSOP |
株式 | 274523 pcs |
データシート | SI6562CDQ |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.357 | $0.32 | $0.249 | $0.206 | $0.163 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。274523のVishay Siliconix SI6562CDQ-T1-BE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.5V @ 250µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-TSSOP |
シリーズ | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 22mOhm @ 5.7A, 4.5V, 30mOhm @ 5.1A, 4.5V |
電力 - 最大 | 1.1W (Ta), 1.6W (Tc), 1.2W (Ta), 1.7W (Tc) |
パッケージ/ケース | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 850pF @ 10V, 1200pF @ 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 23nC @ 10V, 51nC @ 10V |
FET特長 | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 5.7A (Ta), 6.7A (Tc), 5.1A (Ta), 6.1A (Tc) |
コンフィギュレーション | N and P-Channel |
基本製品番号 | SI6562 |
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