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SI6463BDQ-T1-GE3

工場モデル SI6463BDQ-T1-GE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
パッケージ 8-TSSOP
株式 5057 pcs
データシート Material ComplianceObs 29/Dec/2015
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5057のVishay Siliconix SI6463BDQ-T1-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 800mV @ 250µA
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-TSSOP
シリーズ TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 15mOhm @ 7.4A, 4.5V
パッケージ/ケース 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
パッケージ Cut Tape (CT)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 60 nC @ 5 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
ソース電圧（VDSS）にドレイン 20 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 6.2A (Ta)
基本製品番号 SI6463

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データシート

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