SCTH35N65G2V-7
| 工場モデル | SCTH35N65G2V-7 |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 詳細な説明 | SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7 |
| パッケージ | H2PAK-7 |
| 株式 | 9893 pcs |
| データシート | Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021SCTx/Hx/Wx 16/Jun/2022SCTH35N65G2V-7 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 |
|---|---|---|---|
| $5.636 | $5.18 | $4.375 | $3.892 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.2V @ 1mA |
| Vgs（最大） | +22V, -10V |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | H2PAK-7 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 67mOhm @ 20A, 20V |
| 電力消費（最大） | 208W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1370 pF @ 400 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 73 nC @ 20 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 18V, 20V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 45A (Tc) |
| 基本製品番号 | SCTH35 |
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