SCTH40N120G2V-7
| 工場モデル | SCTH40N120G2V-7 |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 詳細な説明 | SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120 |
| パッケージ | H2PAK-7 |
| 株式 | 8274 pcs |
| データシート | SCTx/Hx/Wx 16/Jun/2022SCTH40N120G2V-7 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 |
|---|---|---|---|
| $7.324 | $6.73 | $5.684 | $5.056 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.9V @ 1mA |
| Vgs（最大） | +22V, -10V |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | H2PAK-7 |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 100mOhm @ 20A, 18V |
| 電力消費（最大） | 238W (Tc) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1233 pF @ 800 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 61 nC @ 18 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 18V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 36A (Tc) |
| 基本製品番号 | SCTH40 |
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