SCTH35N65G2V-7AG
工場モデル | SCTH35N65G2V-7AG |
---|---|
メーカー | STMicroelectronics |
詳細な説明 | SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7 |
パッケージ | H2PAK-7 |
株式 | 7855 pcs |
データシート | Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021SCTx/Hx/Wx 16/Jun/2022SCTH35N65G2V-7AG |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 |
---|---|---|---|
$7.491 | $6.887 | $5.816 | $5.174 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 3.2V @ 1mA |
Vgs(最大) | +22V, -10V |
技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
サプライヤデバイスパッケージ | H2PAK-7 |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 67mOhm @ 20A, 20V |
電力消費(最大) | 208W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1370 pF @ 400 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 73 nC @ 20 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 18V, 20V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 45A (Tc) |
基本製品番号 | SCTH35 |
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