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STMicroelectronics

SCTH35N65G2V-7AG

工場モデル SCTH35N65G2V-7AG
メーカー STMicroelectronics
詳細な説明 SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
パッケージ H2PAK-7
株式 7855 pcs
データシート Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021SCTx/Hx/Wx 16/Jun/2022SCTH35N65G2V-7AG
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500
$7.491 $6.887 $5.816 $5.174
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSTMicroelectronicsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。7855のSTMicroelectronics SCTH35N65G2V-7AGの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 3.2V @ 1mA
Vgs(最大) +22V, -10V
技術 SiCFET (Silicon Carbide)
サプライヤデバイスパッケージ H2PAK-7
シリーズ Automotive, AEC-Q101
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 67mOhm @ 20A, 20V
電力消費(最大) 208W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1370 pF @ 400 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 73 nC @ 20 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 18V, 20V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 650 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 45A (Tc)
基本製品番号 SCTH35

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SCTH35N65G2V-7AG データテーブルPDF

データシート