Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > SCTH40N120G2V7AG
SCTH40N120G2V7AG Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

SCTH40N120G2V7AG

工場モデル SCTH40N120G2V7AG
メーカー STMicroelectronics
詳細な説明 SICFET N-CH 650V 33A H2PAK-7
パッケージ H2PAK-7
株式 6264 pcs
データシート SCTH40N120G2V7AGSCTH40N120G2V7AG 23/Dec/2022
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500
$8.526 $7.865 $6.716 $6.097
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSTMicroelectronicsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6264のSTMicroelectronics SCTH40N120G2V7AGの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 5V @ 1mA
Vgs(最大) +22V, -10V
技術 SiCFET (Silicon Carbide)
サプライヤデバイスパッケージ H2PAK-7
シリーズ Automotive, AEC-Q101
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 105mOhm @ 20A, 18V
電力消費(最大) 250W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1230 pF @ 800 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 63 nC @ 18 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 18V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 650 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 33A (Tc)
基本製品番号 SCTH40

おすすめ商品

SCTH40N120G2V7AG データテーブルPDF

データシート