SCTW60N120G2
| 工場モデル | SCTW60N120G2 |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 詳細な説明 | DISCRETE |
| パッケージ | HiP247™ |
| 株式 | 4659 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 |
|---|---|---|
| $12.648 | $11.666 | $9.962 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSTMicroelectronicsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4659のSTMicroelectronics SCTW60N120G2の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 1mA |
| Vgs（最大） | +18V, -5V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | HiP247™ |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 52mOhm @ 30A, 18V |
| 電力消費（最大） | 389W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| パッケージ | Bulk |
| 運転温度 | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1969 pF @ 800 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 94 nC @ 8 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 18V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 60A (Tc) |
| 基本製品番号 | SCTW60 |
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