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SCTW35N65G2VAG

工場モデル SCTW35N65G2VAG
メーカー STMicroelectronics
詳細な説明 SICFET N-CH 650V 45A HIP247
パッケージ HiP247™
株式 9058 pcs
データシート SCTx/Hx/Wx 16/Jun/2022TO247 Frame 24-Feb-2022SCTW35N65G2VAG
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500
$7.338 $6.745 $5.697 $5.068
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSTMicroelectronicsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。9058のSTMicroelectronics SCTW35N65G2VAGの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 5V @ 1mA
Vgs（最大） +22V, -10V
技術 SiCFET (Silicon Carbide)
サプライヤデバイスパッケージ HiP247™
シリーズ Automotive, AEC-Q101
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 67mOhm @ 20A, 20V
電力消費（最大） 240W (Tc)
パッケージ/ケース TO-247-3
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 200°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1370 pF @ 400 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 73 nC @ 20 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 18V, 20V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 650 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 45A (Tc)
基本製品番号 SCTW35

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データシート

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