SCTL90N65G2V
| 工場モデル | SCTL90N65G2V |
|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics |
| 詳細な説明 | SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650 |
| パッケージ | PowerFlat™ (8x8) HV |
| 株式 | 3574 pcs |
| データシート | SCTL90N65G2V |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 |
|---|---|---|
| $15.097 | $13.925 | $11.891 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのSTMicroelectronicsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。3574のSTMicroelectronics SCTL90N65G2Vの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 1mA |
| Vgs（最大） | +22V, -10V |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerFlat™ (8x8) HV |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 24mOhm @ 40A, 18V |
| 電力消費（最大） | 935W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3380 pF @ 400 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 157 nC @ 18 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 18V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 40A (Tc) |
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