IRLML6302TRPBF
工場モデル | IRLML6302TRPBF |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23 |
パッケージ | Micro3™/SOT-23 |
株式 | 652949 pcs |
データシート | Part Number GuidePacking Material Update 16/Sep/2016Barcode Label Update 24/Feb/2017Mult Dev DC/Mark Chgs 20/Jul/2022Mult Dev Wafer Site Chg 18/Dec/2020Mult Dev EOL 12/Apr/2019 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
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$0.2 | $0.162 | $0.111 | $0.083 | $0.062 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±12V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | Micro3™/SOT-23 |
シリーズ | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 600mOhm @ 610mA, 4.5V |
電力消費(最大) | 540mW (Ta) |
パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 97 pF @ 15 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 3.6 nC @ 4.45 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 2.7V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 780mA (Ta) |
基本製品番号 | IRLML6302 |
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