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IRLML6302GTRPBF

工場モデル IRLML6302GTRPBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET P-CH 20V 0.78A SOT-23-3
パッケージ
株式 877155 pcs
データシート IRLML6302GPbF
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.153 $0.125 $0.085 $0.064 $0.048
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。877155のInfineon Technologies IRLML6302GTRPBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
電圧 - テスト 97pF @ 15V
電圧 - ブレークダウン Micro3™/SOT-23
同上@ VGS（TH）（最大） 600 mOhm @ 610mA, 4.5V
Vgs（最大） 2.7V, 4.5V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ HEXFET®
RoHSステータス Cut Tape (CT)
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 780mA (Ta)
偏光 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
他の名前 IRLML6302GTRPBFCT
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
製品属性 属性値
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 10 Weeks
製造元の部品番号 IRLML6302GTRPBF
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 3.6nC @ 4.5V
IGBTタイプ ±12V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 1.5V @ 250µA
FET特長 P-Channel
拡張された説明 P-Channel 20V 780mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
ソース電圧（VDSS）にドレイン -
説明 MOSFET P-CH 20V 0.78A SOT-23-3
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 20V
静電容量比 540mW (Ta)

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