IRLML0100TRPBF-1
| 工場モデル | IRLML0100TRPBF-1 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23 |
| パッケージ | Micro3™/SOT-23 |
| 株式 | 5317 pcs |
| データシート | Mult Dev DC/Mark Chgs 20/Jul/2022Mult Dev EOL 3/Jun/2020IRLML0100PbF-1 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 25µA |
| Vgs（最大） | ±16V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | Micro3™/SOT-23 |
| シリーズ | HEXFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 220mOhm @ 1.6A, 10V |
| 電力消費（最大） | 1.3W (Ta) |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 290 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 2.5 nC @ 4.5 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.6A (Ta) |
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