Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > IRLMS6702TRPBF
IRLMS6702TRPBF Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

IRLMS6702TRPBF

工場モデル IRLMS6702TRPBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO6
パッケージ Micro6™(TSOP-6)
株式 3861 pcs
データシート Part Number GuideMult Dev Lot No Format Chg 6/Apr/2018Barcode Label Update 24/Feb/2017Mult Dev DC/Mark Chgs 20/Jul/2022Multiple Changes 20/Jan/2014Mult Dev Wafer Site Chg 18/Dec/2020
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。3861のInfineon Technologies IRLMS6702TRPBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 700mV @ 250µA (Min)
Vgs（最大） ±12V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ Micro6™(TSOP-6)
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 200mOhm @ 1.6A, 4.5V
電力消費（最大） 1.7W (Ta)
パッケージ/ケース SOT-23-6
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 210 pF @ 15 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 8.8 nC @ 4.5 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 2.7V, 4.5V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 20 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 2.4A (Ta)
基本製品番号 IRLMS6702

おすすめ商品

IRLMS6702TRPBF データテーブルPDF

データシート

IRLMS6702TRPBFに関連した語彙

IRLMS6702TRPBF関連コンポーネント