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IRLML6401GTRPBF

工場モデル IRLML6401GTRPBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3
パッケージ
株式 1175533 pcs
データシート IRLML6401GPbF
提案された価格 （米ドルでの測定）
3000 6000 15000 30000
$0.049 $0.046 $0.043 $0.04
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。1175533のInfineon Technologies IRLML6401GTRPBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
電圧 - テスト 830pF @ 10V
電圧 - ブレークダウン Micro3™/SOT-23
同上@ VGS（TH）（最大） 50 mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs（最大） 1.8V, 4.5V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ HEXFET®
RoHSステータス Tape & Reel (TR)
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 4.3A (Ta)
偏光 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
他の名前 IRLML6401GTRPBF-ND
IRLML6401GTRPBFTR
SP001568584
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
製品属性 属性値
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 13 Weeks
製造元の部品番号 IRLML6401GTRPBF
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 15nC @ 5V
IGBTタイプ ±8V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 950mV @ 250µA
FET特長 P-Channel
拡張された説明 P-Channel 12V 4.3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
ソース電圧（VDSS）にドレイン -
説明 MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 12V
静電容量比 1.3W (Ta)

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