IRLML2502GTRPBF
工場モデル | IRLML2502GTRPBF |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 |
パッケージ | Micro3™/SOT-23 |
株式 | 5700 pcs |
データシート | Part Number GuideMult Dev Label Chgs 18/Feb/2020Mult Dev Lot No Format Chg 6/Apr/2018Mult Dev DC/Mark Chgs 20/Jul/2022Mult Dev EOL 12/Apr/2019Assembly Site Addition 13/Mar/2015 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
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同上@ VGS(TH)(最大) | 1.2V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±12V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | Micro3™/SOT-23 |
シリーズ | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 45mOhm @ 4.2A, 4.5V |
電力消費(最大) | 1.25W (Ta) |
パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 740 pF @ 15 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 12 nC @ 5 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 2.5V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 4.2A (Ta) |
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