IRLML2803TRPBF
工場モデル | IRLML2803TRPBF |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23 |
パッケージ | Micro3™/SOT-23 |
株式 | 756738 pcs |
データシート | Part Number GuidePacking Material Update 16/Sep/2016Mult Dev DC/Mark Chgs 20/Jul/2022Package Drawing Update 19/Aug/2015Mult Dev Wafer Chg 18/Dec/2020Mult Dev EOL 12/Apr/2019 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
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$0.203 | $0.165 | $0.112 | $0.084 | $0.063 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | Micro3™/SOT-23 |
シリーズ | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 250mOhm @ 910mA, 10V |
電力消費(最大) | 540mW (Ta) |
パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 85 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 5 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 1.2A (Ta) |
基本製品番号 | IRLML2803 |
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