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IRLML2803GTRPBF

工場モデル IRLML2803GTRPBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3
パッケージ
株式 813370 pcs
データシート IRLML2803GPbF
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.143 $0.115 $0.078 $0.059 $0.044
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。813370のInfineon Technologies IRLML2803GTRPBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
電圧 - テスト 85pF @ 25V
電圧 - ブレークダウン Micro3™/SOT-23
同上@ VGS（TH）（最大） 250 mOhm @ 910mA, 10V
Vgs（最大） 4.5V, 10V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ HEXFET®
RoHSステータス Cut Tape (CT)
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 1.2A (Ta)
偏光 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
他の名前 IRLML2803GTRPBFCT
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
製品属性 属性値
水分感受性レベル（MSL） 1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム 10 Weeks
製造元の部品番号 IRLML2803GTRPBF
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 5nC @ 10V
IGBTタイプ ±20V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 1V @ 250µA
FET特長 N-Channel
拡張された説明 N-Channel 30V 1.2A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
ソース電圧（VDSS）にドレイン -
説明 MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 30V
静電容量比 540mW (Ta)

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