Components-House.comへようこそ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > IRLML0030TRPBF
IRLML0030TRPBF Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

IRLML0030TRPBF

工場モデル IRLML0030TRPBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
パッケージ Micro3™/SOT-23
株式 584939 pcs
データシート Part Number GuideMult Dev Label Chgs 18/Feb/2020Mult Dev Label Chgs Aug/2020Packing Material Update 16/Sep/2016Mult Dev DC/Mark Chgs 20/Jul/2022Assembly Site Addition 17/Dec/2014
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000
$0.187 $0.152 $0.104 $0.078 $0.058
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。584939のInfineon Technologies IRLML0030TRPBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 2.3V @ 25µA
Vgs(最大) ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ Micro3™/SOT-23
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 27mOhm @ 5.2A, 10V
電力消費(最大) 1.3W (Ta)
パッケージ/ケース TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 382 pF @ 15 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 2.6 nC @ 4.5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 5.3A (Ta)
基本製品番号 IRLML0030

おすすめ商品

IRLML0030TRPBF データテーブルPDF

データシート