IRFHS8342TRPBFTR
| 工場モデル | IRFHS8342TRPBFTR |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | IRFHS8342 - 20V-100V N-CHANNEL S |
| パッケージ | 6-PQFN Dual (2x2) |
| 株式 | 5097 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.35V @ 25µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-PQFN Dual (2x2) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 16mOhm @ 8.5A, 10V |
| 電力消費（最大） | 2.1W (Ta) |
| パッケージ/ケース | 6-PowerVDFN |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 600 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 8.7 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8.8A (Ta), 19A (Tc) |
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