IRFHS8242TR2PBF
| 工場モデル | IRFHS8242TR2PBF |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFN |
| パッケージ | 6-PQFN (2x2) |
| 株式 | 3962 pcs |
| データシート | Part Number GuideBackend Wafer Transfer 23/Oct/2013Multiple Devices 13/Nov/2013 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.35V @ 25µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-PQFN (2x2) |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 13mOhm @ 8.5A, 10V |
| パッケージ/ケース | 6-PowerVDFN |
| パッケージ | Cut Tape (CT) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 653 pF @ 10 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 10.4 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 25 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9.9A (Ta), 21A (Tc) |
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