Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > IRFI4110GPBF
IRFI4110GPBF Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

IRFI4110GPBF

工場モデル IRFI4110GPBF
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 100V 72A TO220AB FP
パッケージ TO-220AB Full-Pak
株式 53397 pcs
データシート Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020Mult Dev Label Chgs Aug/2020IR Part Numbering SystemTube Label Chgs 20/May/2020POD Datasheet Rev 28/Apr/2017Mult Dev A/T Add 7/Feb/2022
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000 5000
$1.562 $1.403 $1.149 $0.978 $0.825 $0.784 $0.754
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。53397のInfineon Technologies IRFI4110GPBFの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB Full-Pak
シリーズ HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 4.5mOhm @ 43A, 10V
電力消費（最大） 61W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 9540 pF @ 50 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 290 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 100 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 72A (Tc)
基本製品番号 IRFI4110

おすすめ商品

IRFI4110GPBF データテーブルPDF

データシート

IRFI4110GPBFに関連した語彙

IRFI4110GPBF関連コンポーネント